0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ209МСтруктура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.77 ₽
В корзину
Популярный
2Т903АТранзисторы 2Т903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масс..
174.05 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..
582.61 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеХарактеристики транзистора MJE2955TСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -10 АРассеиваемая мощность коллектора,..
22.30 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
97.36 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..
177.40 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Микросхема S1854 является драйвером регулятора для линейного телевизора, который состоит из транзистора усилителя ошибки, стабилитрона стандартного напряжения и поликремниевых резисторов на монолитной микросхеме.Мощный биполярный транзистор, 0.05AI (..
123.54 ₽
В корзину
Популярный
Характеристики транзистора SS8050Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ..
8.07 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9012Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимальный постоя..
2.93 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: SS9015Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..
2.38 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9018Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 VМакcимальный постоянн..
3.50 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Характеристики транзистора TIP102Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 8 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 80..
78.03 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Технические параметрыСтруктура npn darlington с 2 резисторами и диодомМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80Максимально допустимый то..
58.53 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP31AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..
26.09 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP32Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимое ..
18.40 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТранзисторы ГТ404 - германиевые, усилительные, средней мощные низкочастотные, структуры n-p-n(комплементарны ГТ402).Два варианта корпуса. Масса варианта 1 - не более 5гр, варианта 2 - не более 2гр. Маркировка буквенно - цифровая.Наиболее важн..
2.54 ₽
В корзину
Популярный
ГТ905АТранзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Выпускаются в металли..
46.24 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ209АСтруктура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 15 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.08 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор KT3102VПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение ..
8.98 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеКТ3102д, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92] (=BC547B),Тип товара : Транзистры биполярныеСовместимость : Оригинальный предназначен для техники: ABCТип товара: Транзистры биполярные..
14.96 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеТранзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в..
0.58 ₽
В корзину
Популярный
КТ502БТранзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом ..
1.21 ₽
В корзину
Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.
Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.
Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.