0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ209МСтруктура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.83 ₽
В корзину
Популярный
2Т903АТранзисторы 2Т903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масс..
177.71 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТранзисторы ГТ404 - германиевые, усилительные, средней мощные низкочастотные, структуры n-p-n(комплементарны ГТ402).Два варианта корпуса. Масса варианта 1 - не более 5гр, варианта 2 - не более 2гр. Маркировка буквенно - цифровая.Наиболее важн..
2.59 ₽
В корзину
Популярный
ГТ905АТранзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Выпускаются в металли..
47.21 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ209АСтруктура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 15 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.12 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор KT3102VПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение ..
9.17 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеКТ3102д, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92] (=BC547B),Тип товара : Транзистры биполярныеСовместимость : Оригинальный предназначен для техники: ABCТип товара: Транзистры биполярные..
15.28 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеТранзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в..
0.59 ₽
В корзину
Популярный
КТ502БТранзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом ..
1.23 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503ВСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.82 ₽
В корзину
Популярный
КТ815ВТранзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус плас..
15.74 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса..
23.94 ₽
В корзину
Популярный
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
22.26 ₽
В корзину
Популярный
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
25.49 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеГТ403АТранзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются..
25.87 ₽
В корзину
Популярный
КТ815БТранзисторы КТ815Б кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус плас..
15.74 ₽
В корзину
Популярный
КТ3127АТранзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.Предназначен для применения в усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибким..
64.67 ₽
В корзину
Популярный
КТ361ГТранзисторы КТ361Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.Масса тран..
7.44 ₽
В корзину
Популярный
Продано
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503АСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
1.16 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503БСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
1.16 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
ОписаниеКТ925БТранзисторы КТ925Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпус..
452.67 ₽
Нет в наличии
