0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD2391Маркировка: DTQТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (U..
188.93 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
86.32 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SD5071Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допуст..
155.03 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A..
61.30 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..
108.65 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
83.60 ₽
В корзину
0
ОписаниеТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер..
5.82 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
167.18 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD756AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМак..
59.71 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD768Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный ..
92.35 ₽
В корзину
0
2SD774, Транзистор NPN 100В 1А 1Вт [SP-8]Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный по..
56.11 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SD788Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимо..
16.18 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база |Vcb|: 70 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|: 45 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база |Ve..
39.61 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD852Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 VМакcимальный..
612.18 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD869Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcи..
147.41 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SD870Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допусти..
172.73 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SD879Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряж..
20.38 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD883Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный ..
380.51 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SD965-QТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допусти..
6.55 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD992Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный п..
34.97 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SJ201Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 AСопротивление сток-исто..
986.52 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SK105Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 5 VМаксимально допустимый п..
3.55 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AОбщий заряд затвора (Qg): 120 nCСопротивление сток-исток от..
345.46 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SK1377Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимы..
162.73 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.