0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Транзистор HY3208 TO220арт.21909Корпус to-220Структура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В 80Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт 226Максимальный ток сток-исток при Iси, А 120Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом 0,0085..
125.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
МикросхемаICL7106CPL представляет собой монолитный, аналого-цифровой преобразователями (АЦП) и предназначена для непосредственного управления немультиплексным ЖКИ. Имеет высокое входное сопротивление и не требуют дополнительных внешних цепей драйвера..
201.43 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
IRF1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 180А [TO-220AB]ОписаниеТранзистор полевой N-канальный 40В 180А 200Вт, 0.004 ОмТехнические параметрыСтруктура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 202 ..
275.05 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеНаименование прибора: IRF822Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый..
114.00 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование прибора: IRF822FIТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустим..
80.75 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеНаименование прибора: IRFP460PBFТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряже..
171.00 ₽
В корзину
Популярный
IRFZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 26А [TO-220AB]ОписаниеThe IRFZ34NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.• 175°C Operatin..
25.81 ₽
В корзину
Популярный
IRFZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 41А [TO-220AB]ОписаниеIRFZ44NPBF является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET® с чрезвычайно низким сопротивлением в активном состоянии и быстродействующими характеристиками переключения. Это преимущество, ..
25.00 ₽
В корзину
Популярный
IRFZ46NPBF, Транзистор, N-канал 55В 46А [ТО-220АВ]ОписаниеMOSFET, N, 55V, 46A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 46A Resistance, Rds On 0.02ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs t..
35.50 ₽
В корзину
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.