2SC

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

Биполярный транзистор 2SC5239Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допусти..

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

ОписаниеНаименование производителя: 2SC5250Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 AПредельная температу..

ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC536Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не б..

Наименование производителя: 2SC5443Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально..

ОписаниеНаименование производителя: 2SC815Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..