0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Транзисторы биполярные

0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
3.57 ₽
В корзину
Заканчивается
0
BC556B, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Характеристики транзистора BC556BСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более..
4.08 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC558BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
4.47 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC558CТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
6.70 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC635Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально допустимое н..
5.35 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: BC879Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
28.02 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеФункционал Симистор (TRIAC)Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor..
85.06 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: BD677Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcималь..
41.75 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Описание Характеристики транзистора BD679AСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 4 АРассеиваемая мощность коллектора, не бо..
56.38 ₽
В корзину
0
Описание Наименование производителя: BD680AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
44.68 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BDX34BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимально допустимое..
84.05 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BF423SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допуст..
6.80 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: BF459Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимал..
26.22 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BF469Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допустимое..
33.43 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BU208AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допус..
54.86 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: BU2525AXТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..
270.38 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BU406Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 VМакcимально допустимое напря..
51.07 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: BU426AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 114 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..
181.18 ₽
В корзину
0
ОписниетипТранзисторы биполярныеНаименование:BU 508 AF /SOT199/ SANYOБрэнд:SANYOОписание: BU 508 AF /SOT199/ SANYOПараметры:Тип - Si-NНапряжение Umax (V) - 1500.00Напряжение Unom (V) - 700.00Ток Ic (A) - 5.00Мощность Pq (W) - 34.00Коэф. усиления - 20..
56.65 ₽
В корзину
0
Корпус (размер) TO-220-3Тип монтажа ВыводнойPower - Max 60WCurrent - Collector Cutoff (Max) 100µAVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA..
53.48 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..
296.83 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BUH315Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допусти..
163.79 ₽
В корзину
Транзисторы биполярные