Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SB 731(P)

Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 VMaximum Collector Current |Ic max|: 1 A..

55.74 ₽

В корзину

Популярный

2SB 733

ОписаниеНаименование производителя: 2SB733Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный по..

40.20 ₽

В корзину

Популярный

2SB 773

Наименование производителя: 2SB773AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально д..

102.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 794

ОписаниеНаименование производителя: 2SB794Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..

58.26 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 817 (пара для 2SD 1047)

2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура pnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе ..

130.98 ₽

В корзину

Популярный

2SB 857

Наименование производителя: 2SB857Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допу..

24.54 ₽

В корзину

Популярный

2SB 861

Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

41.96 ₽

В корзину

Популярный

2SB 891

50.17 ₽

В корзину

Популярный

2SB 892(S)

ОписаниеНаименование производителя: 2SB892SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..

18.99 ₽

В корзину

Популярный

2SB 893(F)

ОписаниеНаименование производителя: 2SB893Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 VМакcимальны..

22.15 ₽

В корзину

Популярный

2SB 926

Биполярный транзистор 2SB926Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое нап..

5.82 ₽

В корзину

Популярный

2SB 941(A)

ОписаниеНаименование производителя: 2SB941AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..

37.87 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 988

Наименование производителя: 2SB988Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допу..

155.95 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1061

Биполярный транзистор 2SC1061Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимо..

38.45 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1096

Наименование производителя: 2SC1096Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcимально доп..

41.79 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1162

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

18.72 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1213A

ОписаниеНаименование производителя: 2SC1213Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcим..

9.91 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1317

ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC1317Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 ВНапряжение коллектор-база, не более: -30 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -7 VТок коллектора, не более: -0.5 АРассеиваемая мощность коллектора,..

13.42 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1318

Биполярный транзистор 2SC1318Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустим..

5.94 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1346

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

12.95 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1384

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

13.95 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1413A

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

282.92 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1417

Биполярный транзистор 2SC1417Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 AПредельная температура PN-перехо..

14.73 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1419

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

79.26 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.