Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SC 3087

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

134.24 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3089

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3089Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 VМакcи..

135.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3117

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 200 °CГраничная часто..

28.42 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3148

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

150.46 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3149

Биполярный транзистор 2SC3149Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допусти..

44.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3152

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

200.61 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3153

Биполярный транзистор 2SC3153Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допуст..

153.24 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3180(N)

153.24 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3181(N)

175.54 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3182(N)

Биполярный транзистор 2SC3182Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 VМакcимально допуст..

182.79 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3192(Y)

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3192Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 AПредельная темпера..

8.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3209

Биполярный транзистор 2SC3209Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 AПредельная температура PN-перехода..

24.32 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3225

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

39.04 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3229

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CГраничная часто..

24.01 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3242(A)

16.72 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3246

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

9.77 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3247

Биполярный транзистор 2SC3247Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустим..

23.41 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3277

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3277Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

128.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3298A

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

75.24 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3309

Биполярный транзистор 2SC3309Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимальный постоя..

81.57 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3310

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A..

104.29 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3311

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 125 °CГраничная часто..

5.57 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3331

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

2.66 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3377

Биполярный транзистор 2SC3377Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 AПредельная температура PN-перехода ..

20.06 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.