PCF 8582C

Описание:

PCF8582C-2 - плавающий затвор EEPROM с 2-кбитной (256 х 8 битов) долговременной памятью. Посредством использования внутреннего избыточного кода регистрации, устройство защищено от однобитовых ошибок. Благодаря данному свойству в большой степени увеличивается надежность устройства по сравнению со стандартными EEPROM. За счет использования КМОП-технологии, обеспечивается низкая потребляемая мощность. Программирующее напряжение генерируется внутри системы, используя умножитель напряжения.

Байты данных принимаются и передаются посредством последовательной I2C-шины.

На шине может быть установлено до восьми PCF8582C-2 устройств. Выбор элемента памяти производится через три адресных входа (A0, A1 и A2).

Синхронизация цикла стирания/записи производится в системе, поэтому нет необходимости в использовании внешних компонентов. Программируемый режим синхронизации (PTC) (вывод 7), должен быть подключен к VDD или к левому разомкнутому контуру. Также может быть использован внешний синхронизатор продолжительности цикла стирания/записи.

Параметры:

Маломощный CMOS:
Максимальный рабочий ток - 2.0 mA
Максимальный ток покоя - 10 мкA (при 6.0 В), типовое значение - 4 мкA
EEPROM - 2 кбит, со структурой - 256 х 8 бит
Одиночный источник питания – до 2.5 В
Встроенный умножитель напряжения
Последовательная I2C-шина ввода-вывода
Запись:
режим побайтовой записи
режим записи 8-байтовой страницы (минимизирует общее время записи на один байт)
Считывание:
последовательное считывание
выборочное считывание
Встроенный синхронизатор записи (без использования внешних компонентов)
Встроенный сброс по включению питания
Тактовая частота от 0 до 100 кГц
Высокая надежность, благодаря использованию избыточного кода регистрации
Износостойкость: 1 000 000 циклы Стирания / Записи при температуре = 22°C
Максимальный срок хранения данных - 10 лет
Совместимость выводов и адресов с: PCF8570, PCF8571, PCF8572, PCA8581 и PCF85102
Совместимый по выводам, имея различные адреса с PCF85103
Защита от ЭСП превышает 2000 В HBM при JESD22-A114, 200 В ММ при JESD22-A115, и 1000 В CDM при JESD22-C101
Тесты на защелкивание проведены в соответствии JEDEC стандартом JESD78, и превышает 100 mA
Выпускается DIP8 и SO8-корпусах.