0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
80.28 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Partname: BUK444-500ADescription: MOSFETs and TempFETsManufacturer: Philips SemiconductorsPackage: SOT-186..
80.28 ₽
В корзину
Популярный
Наименование: BUK444-600BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ug..
145.97 ₽
В корзину
Популярный
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
109.48 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально до..
82.11 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
88.58 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление с..
128.72 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..
252.20 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..
118.61 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..
182.47 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
225.23 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
155.10 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
