0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..
352.28 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
80.48 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Partname: BUK444-500ADescription: MOSFETs and TempFETsManufacturer: Philips SemiconductorsPackage: SOT-186..
80.48 ₽
В корзину
Популярный
Наименование: BUK444-600BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ug..
146.34 ₽
В корзину
Популярный
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
109.76 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально до..
82.32 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
88.80 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление с..
129.04 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..
252.83 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..
118.91 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..
182.93 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
225.79 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
155.48 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.
Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.
Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.