Электронные компоненты

Конденсаторы

Предохранители и варисторы

Резисторы

Полупроводники

Кварцы-фильтры

Реле. Переключатели, кнопки

Трансформаторы

Запчасти к аудио-видеотехнике

Запчасти к сотовым телефонам

Термоэлементы Пельтье

Радиоконструкторы

Популярный

Заканчивается

BUK 456-200A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

221.30 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

191.38 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

45.34 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 11AX

Биполярный транзистор BUT11AX Даташит. Аналоги Наименование производителя: BUT11AX Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально ..

108.13 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

122.07 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

173.45 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

131.71 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUV 48C

Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..

224.49 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11A

222.15 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11AF

82.85 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12A

Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

221.82 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12AF

Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

191.74 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 13A

Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

214.36 ₽

В корзину

Популярный

BUZ 332A

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно..

238.20 ₽

В корзину

Популярный

BUZ 80(A)

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

210.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69011Y

ОписаниеКорпус SDIP-54Вес 10 гTV пpоцессоp..

2 563.15 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69525Y

TV процессорКорпус SDIP-54Вес 10 г..

2 158.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69540Y (SIM-135-2R)

TV пpоцессоp SAMSUNG CK-5035/5081/5082/5083/5318/5341Корпус: SDIP-54..

1 998.01 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69603Y

GOTO: C69603Y:SAMSUNG CP..

2 177.22 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69605Y

Корпус SDIP54..

2 976.75 ₽

В корзину

Популярный

C 69607Y

TV пpоцессоp SAMSUNG CK-5035/5081/5082/5083/5318/5341, P69Корпус: SDIP54..

2 827.23 ₽

В корзину

Популярный

CD 4060BE

Производитель: Teledyne Technologies Incorporated..

106.03 ₽

В корзину

Популярный

CIC 9110E 8845

257.04 ₽

В корзину

Популярный

COP 444-PRB

483.68 ₽

В корзину

Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.

Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.

Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.