Транзисторы биполярные

Популярный

90.92 ₽

В корзину

Популярный

Корпус (размер) TO-220-3Тип монтажа ВыводнойPower - Max 60WCurrent - Collector Cutoff (Max) 100µAVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA..

63.47 ₽

В корзину

Популярный

BU 941ZPFI

Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..

352.28 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUH 315

Биполярный транзистор BUH315Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допусти..

194.39 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

42.12 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

113.40 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

146.96 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

122.35 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUV 48C

Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..

260.68 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11A

257.96 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11AF

76.97 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12A

Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

206.05 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12AF

Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

222.65 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 13A

Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

248.92 ₽

В корзину

Популярный

DTA 124EN

ОписаниеНаименование производителя: DTA124EМаркировка: AC4EТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

3.47 ₽

В корзину

Популярный

DTA 124ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA124ES3Маркировка: 6BТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

3.47 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

DTA 143ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA143ESAТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеиваемая мощност..

31.10 ₽

В корзину

Популярный

DTA 144ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA144ES3Маркировка: 6CТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

21.18 ₽

В корзину

Популярный

DTC 124ESF

Производитель ON Semiconductor..

5.99 ₽

В корзину

Популярный

DTC 144ES

корпус: TO92S/formed, инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОмТехнические параметрыСтруктура npn-цифровойМакс. напр. к-б при заданном обратно..

3.47 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор биполярный FN 1016

ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..

691.46 ₽

В корзину

Популярный

Транзистор биполярный FN 651

Производитель: Sanken ElectricТранзистор биполярныйКорпус: TO3PML..

249.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор биполярный MJE 800

ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..

115.55 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор биполярный MJF 18004

ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..

210.55 ₽

В корзину