0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503ВСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
3.11 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса..
26.44 ₽
В корзину
Популярный
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
29.99 ₽
В корзину
Популярный
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
29.99 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеГТ403АТранзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются..
29.99 ₽
В корзину
Популярный
КТ361ГТранзисторы КТ361Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.Масса тран..
7.50 ₽
В корзину
Популярный
Технические параметрыМаксимальная определяемая длина волны 1100нмДлина волны пиковой чувствительности 850нмМинимальная определяемая длина волны 400нмМатериал диода КремнийПроизводитель ..
19.12 ₽
В корзину
Популярный
Продано
Биполярный транзистор 2SC3467Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустим..
17.25 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Популярный
Продано
IRFZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 41А [TO-220AB]ОписаниеIRFZ44NPBF является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET® с чрезвычайно низким сопротивлением в активном состоянии и быстродействующими характеристиками переключения. Это преимущество, ..
29.63 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Производитель:SanyoТехнические данные:SIP9(1.8-8V) ФМ стерео тюнерФункциональное назначение:ИС для аудио/видео техники..
66.92 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Технические данные:SDIP42(4.5-10V) драйвер LED дисплея принимаемой частоты радиприемникаФункциональное назначение:ИС для аудио/видео техники..
231.17 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Производитель: Philips SemiconductorsDolby Noise Reduction Circuitкорпус: dip16..
197.92 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Популярный
Продано
ОписаниеМикросхема TA2057N в корпусе SDIP24-300 представляет собой готовый АМ/ФМ цифровой тюнер с питанием 3.5-14В.Используется во многих популярных профессиональных и полупрофессиональных радиоприемниках, например DEGEN DE1103 (тестировалась в данно..
219.31 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.