0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Применяется для стабилизации выходного постоянного напряжения в источниках тока.Мощность рассеяния,Вт 0.5Номинальное напряжение стабилизации,В 43..
6.26 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеСтабилитрон MTZ 05,6V-1w(1N4734)1N4734A, Стабилитрон 5.6В, 5%, 1Вт, DO-41ОписаниеМощность рассеяния,Вт 1Номинальное напряжение стабилизации,В 5.6Номинальный ток стабилизации,мА 45Корпус DO-41Минимальное напряжение стабилизации,В 5.32Максималь..
6.26 ₽
В корзину
Популярный
Применяется для стабилизации выходного постоянного напряжения в источниках тока.Мощность рассеяния,Вт 0.5Номинальное напряжение стабилизации,В 51..
6.26 ₽
В корзину
Популярный
Применяется для стабилизации выходного постоянного напряжения в источниках тока.Мощность рассеяния,Вт 0.5Номинальное напряжение стабилизации,В 68..
6.26 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеСтабилитрон КС175A (MTZ 7,5V)Технические параметрыМощность рассеяния,Вт 0.15Минимальное напряжение стабилизации,В 7Номинальное напряжение стабилизации,В 7.5Максимальное напряжение стабилизации,В 8Статическое сопротивление Rст.,Ом 16при токе I..
27.97 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеСтабилитроны (диоды Зенера) – это полупроводниковые диоды, работающие при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через диод протекают малые токи, при наступлении пробоя ток, протекающий через стабилитрон, увеличивается и его..
6.26 ₽
В корзину
Популярный
Кремниевые диффузионно-сплавные стабилитроны Д817Б средней мощности предназначены для стабилизации напряжения.Технические характеристики стабилитрона Д817Б: Разброс напряжения стабилизации: 61... 75 В при токе стабилиза..
9.08 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеПЛАСТИКОВЫЙ ФОРМОВАННЫЙ ТИРИСТОРТехнические параметрыМаксимальное обратное напряжение Uобр.,В 500Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 500Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.м..
39.16 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Производитель: NECSilicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element..
131.25 ₽
В корзину
Популярный
5P4M, Тиристор 5А 400ВТехнические параметрыМаксимальное обратное напряжение Uобр.,В 500Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 500Макс...
200.45 ₽
В корзину
Популярный
Максимальное обратное напряжение: 600ВМаксимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: 600ВМаксимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии: 3АМаксимальный кратковременный импульсный ток в открытом состоянии: 30..
137.22 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
ОписаниеПроисхождение товара:Guangdong, ChinaНаименование:СтандартМодели:CR5AS-12Напряжение-состоянии off:600 ВНапряжение-ворота триггер (VGT) (макс.):800mVТок-ворота триггер (igt) (макс.):100uAНапряжение на состояние (vtm) (макс.):1.8 ВТекущее состо..
323.38 ₽
В корзину
Популярный
Производитель: Mitsubishi ElectricLow Power Use Non-Insulated Type / Glass Passivation Type..
205.83 ₽
В корзину
Популярный
Популярный
Заканчивается
Популярный
КУ221АТиристоры кремниевые КУ221А, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения при частоте до 30 кГц.Выпускаются в металлостеклянн..
110.76 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3277Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..
150.93 ₽
В корзину
Популярный
КТ815ВТранзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус плас..
20.00 ₽
В корзину
Популярный
2Т903АТранзисторы 2Т903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масс..
182.65 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Технические параметрыСтруктура -- npn с резистором и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В -- 1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В -- 700 Максимально допустимый т..
170.10 ₽
В корзину
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.