0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13005, E13005-2MJE13005, Транзистор, NPN, 400В, 4А, 75Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13005Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
52.50 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13007, E13007-2MJE13007, Транзистор, NPN, 400В, 8А, 80Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13007Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
52.50 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13009, E13009-2MJE13009, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13009Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Н..
105.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..
219.37 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Микросхема S1854 является драйвером регулятора для линейного телевизора, который состоит из транзистора усилителя ошибки, стабилитрона стандартного напряжения и поликремниевых резисторов на монолитной микросхеме.Мощный биполярный транзистор, 0.05AI (..
152.76 ₽
В корзину
Популярный
Характеристики транзистора SS8050Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ..
9.97 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9012Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимальный постоя..
3.61 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: SS9015Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..
2.95 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9018Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 VМакcимальный постоянн..
4.32 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Характеристики транзистора TIP102Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 8 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 80..
96.49 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Технические параметрыСтруктура npn darlington с 2 резисторами и диодомМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80Максимально допустимый то..
72.37 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP31AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..
32.26 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP32Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимое ..
22.75 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Биполярный транзистор TIP32C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: TIP32C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллек..
26.25 ₽
В корзину
Популярный
Транзистор ГТ346А, тип PNP, 0,05 Вт, корпус КТ-1Технические параметрыСтруктура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 20 Максимальн..
97.65 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТранзисторы ГТ404 - германиевые, усилительные, средней мощные низкочастотные, структуры n-p-n(комплементарны ГТ402).Два варианта корпуса. Масса варианта 1 - не более 5гр, варианта 2 - не более 2гр. Маркировка буквенно - цифровая.Наиболее важн..
15.98 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор KT3102VПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение ..
15.98 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеКТ3102д, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92] (=BC547B),Тип товара : Транзистры биполярныеСовместимость : Оригинальный предназначен для техники: ABCТип товара: Транзистры биполярные..
15.98 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503ВСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
3.10 ₽
В корзину
Популярный
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
29.83 ₽
В корзину
Популярный
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
29.83 ₽
В корзину
Заканчивается
Транзистор биполярный КТ 925БТехнические параметрыЕмкость коллекторного перехода:не более 30 пФКонфигурация n-p-nКоэффициент усиления мощности:не менее 5 дБМаксимальное напряжение эмиттер-база:4 ВМаксимальный ток коллектора импульсный:3 АМощность рас..
735.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеГТ403АТранзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются..
29.83 ₽
В корзину
Популярный
КТ3127АТранзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.Предназначен для применения в усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибким..
53.27 ₽
В корзину
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.