Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

BUK 454-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..

250.87 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 455-500A,B

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..

117.99 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-1000A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..

181.51 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-200A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

224.04 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

154.28 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

41.79 ₽

В корзину

Новинки

Заканчивается

BUT 11AX

Биполярный транзистор BUT11AX Даташит. Аналоги Наименование производителя: BUT11AX Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально ..

82.00 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

112.52 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

145.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

121.40 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUV 48C

Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..

258.66 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11A

255.96 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11AF

76.37 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12A

Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

204.46 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12AF

Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

220.92 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 13A

Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

246.99 ₽

В корзину

Популярный

BUZ 332A

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно..

274.45 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUZ 80(A)

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

216.02 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69011Y

ОписаниеКорпус SDIP-54Вес 10 гTV пpоцессоp..

3 937.63 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69525Y

TV процессорКорпус SDIP-54Вес 10 г..

3 316.70 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69540Y (SIM-135-2R)

TV пpоцессоp SAMSUNG CK-5035/5081/5082/5083/5318/5341Корпус: SDIP-54..

3 069.43 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69603Y

GOTO: C69603Y:SAMSUNG CP..

3 344.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69605Y

Корпус SDIP54..

4 573.02 ₽

В корзину

Популярный

C 69607Y

TV пpоцессоp SAMSUNG CK-5035/5081/5082/5083/5318/5341, P69Корпус: SDIP54..

4 212.12 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.