Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SD 1050

Биполярный транзистор 2SD1050Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 AПредельная температура PN-перехо..

520.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1065

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1065Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcима..

181.81 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1069

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1069Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcи..

211.01 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1111

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

7.88 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1138

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

45.27 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1148

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1148Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 VМакc..

366.21 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1207

Биполярный транзистор 2SD1207Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое..

25.39 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1251

Material of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector Current |Ic max|: 3 AMax. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °CForward Current Transfer Ratio (hFE)..

72.19 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1272

Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 ВНапряжение коллектор-база, не более: 200 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзисто..

78.76 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1273

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

52.50 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1275

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CСтатический коэффи..

110.84 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1302

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CГраничная час..

15.09 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1328

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1328Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 AПредельная температ..

28.88 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1354

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1354Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..

343.06 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1406

Биполярный транзистор 2SD1406Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..

27.12 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1407

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

98.45 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1409

Биполярный транзистор 2SD1409Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..

187.71 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1427 (metall)

Биполярный транзистор 2SD1427Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

163.54 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1428

Биполярный транзистор 2SD1428Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

184.94 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1431

Биполярный транзистор 2SD1431Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

172.43 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1432

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1432Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакc..

56.01 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1453

Биполярный транзистор 2SD1453Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 AПредельная температура PN-перехода..

273.85 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1455

Биполярный транзистор 2SD1455Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 AПредельная температура PN-перехода..

263.19 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1474

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CСтатический коэфф..

190.32 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.