Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

2SC 930

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

6.24 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1047 (пара для 2SB 817)

2SD1047, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=140В, Vcbo=160В, Pd=100Вт [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой..

142.91 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1050

Биполярный транзистор 2SD1050Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 AПредельная температура PN-перехо..

546.80 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1065

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1065Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcима..

190.90 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1069

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1069Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcи..

221.56 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1111

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

8.28 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1138

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

47.54 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1148

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1148Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 VМакc..

384.52 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1207

Биполярный транзистор 2SD1207Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое..

26.66 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1251

Material of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector Current |Ic max|: 3 AMax. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °CForward Current Transfer Ratio (hFE)..

75.80 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1272

Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 ВНапряжение коллектор-база, не более: 200 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзисто..

82.70 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1273

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

55.13 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1275

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CСтатический коэффи..

116.38 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1302

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CГраничная час..

15.85 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1328

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1328Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 AПредельная температ..

30.32 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1354

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1354Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..

360.22 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1406

Биполярный транзистор 2SD1406Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..

28.47 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1407

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

103.37 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1409

Биполярный транзистор 2SD1409Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..

197.10 ₽

В корзину

Популярный

2SD 1427 (metall)

Биполярный транзистор 2SD1427Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

171.72 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1428

Биполярный транзистор 2SD1428Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

194.19 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1431

Биполярный транзистор 2SD1431Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

181.05 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1432

ОписаниеНаименование производителя: 2SD1432Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакc..

58.81 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1453

Биполярный транзистор 2SD1453Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 AПредельная температура PN-перехода..

287.54 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.