Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SC 4604

ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC4604Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 3 АРассеиваемая мощность коллектора, не бо..

78.15 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4747

Наименование производителя: 2SC4747Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально ..

144.55 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4769

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

143.08 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4833 (Original)

Биполярный транзистор 2SC4833Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..

65.67 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4834 (Original)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

155.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4923

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

366.50 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4953

Описаниеип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3..

117.95 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4977

ОписаниеНаименование производителя: 2SC4977Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

193.13 ₽

В корзину

Популярный

2SC 5002

ОписаниеНаименование производителя: 2SC5002Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакc..

195.58 ₽

В корзину

Популярный

2SC 5030 (metall)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база..

187.65 ₽

В корзину

Популярный

2SC 5030F (plastic)

ОписаниеНаименование производителя: KSC5030FТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..

116.77 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 5048 (Original)

ОписаниеНаименование производителя: 2SC5048Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакc..

157.42 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 5148

Биполярный транзистор 2SC5148Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допуст..

100.36 ₽

В корзину

Популярный

2SC 5149

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

45.16 ₽

В корзину

Популярный

2SC 5239 (metall)

Биполярный транзистор 2SC5239Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допусти..

338.64 ₽

В корзину

Популярный

2SC 5239 (plastic)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

169.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 5250

ОписаниеНаименование производителя: 2SC5250Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 AПредельная температу..

157.64 ₽

В корзину

Популярный

2SC 536(...P...)

ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC536Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не б..

3.42 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 5443

Наименование производителя: 2SC5443Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально..

361.47 ₽

В корзину

Популярный

2SC 815

ОписаниеНаименование производителя: 2SC815Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..

21.89 ₽

В корзину

Популярный

2SC 828

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

4.14 ₽

В корзину

Популярный

2SC 930

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

5.98 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1047 (пара для 2SB 817)

2SD1047, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=140В, Vcbo=160В, Pd=100Вт [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой..

136.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 1050

Биполярный транзистор 2SD1050Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 AПредельная температура PN-перехо..

523.51 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.