Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SC 3897 (NPN)

Биполярный транзистор 2SC3897 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: 2SC3897 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение колл..

94.50 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3907

Биполярный транзистор 2SC3907Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 VМакcимально допуст..

99.94 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3909

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 ..

543.92 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3927

Биполярный транзистор 2SC3927Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимальный посто..

411.16 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3964

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3964Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcим..

72.05 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3979A (metal)

Производитель: Panasonic SemiconductorBipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 10MHz 2W Through Hole TO-220F-A1..

138.31 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3997 (Original)

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3997Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..

315.06 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4046

ОписаниеНаименование производителя: 2SC4046Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcим..

45.48 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4125

Биполярный транзистор 2SC4125Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимальный посто..

516.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4161

ОписаниеНаименование производителя: 2SC4161Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

68.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4204

Биполярный транзистор 2SC4204Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустим..

25.77 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4231

Биполярный транзистор 2SC4231Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допуст..

217.49 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4232

Описание Наименование производителя: 2SC4232Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..

155.62 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4234

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

344.55 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4235

ОписаниеНаименование производителя: 2SC4235Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакc..

260.80 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4236

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база..

314.47 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4242

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 125 °CСтатический коэфф..

65.12 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4294

Биполярный транзистор 2SC4294Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимальный посто..

432.24 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4300

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A..

192.94 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4313

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

314.47 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4369(A)

Описание Характеристики транзистора KTC4369Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 ВНапряжение коллектор-база, не более: 30 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 3 АРассеиваемая мощность коллектора, не б..

33.89 ₽

В корзину

Популярный

2SC 4408

ОписаниеНаименование производителя: 2SC4408Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcим..

36.01 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4423

Биполярный транзистор 2SC4423Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимальный постоя..

324.18 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 4517 (metal)

Биполярный транзистор 2SC4517Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допусти..

147.66 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.