0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

0
Биполярный транзистор 2SC2594Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимо..
100.77 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC2603Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный то..
4.62 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
16.51 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC2611Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..
68.98 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2621Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcи..
31.04 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC2625Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный то..
125.47 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2630Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 VМакcим..
1 158.76 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
17.69 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2668OТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcи..
10.35 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2682YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 VМакcи..
52.78 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2688Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcи..
17.29 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2712Маркировка: LG_LL_LOТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмит..
5.52 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
59.39 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC2785Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допусти..
2.50 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 AПреде..
136.03 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2910Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакc..
48.16 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеИсходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npnPc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe1W 160V 140V - 500mA 125°C 25MHz - ..
64.76 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2983Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакcим..
156.35 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3000Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcи..
29.03 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3026Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 AПредельная температу..
374.07 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC3030Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допусти..
356.28 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC3040Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..
184.72 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC3070Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое..
40.92 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3074YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcима..
69.53 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.