Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SC 2577

Биполярный транзистор 2SC2577Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный то..

158.48 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2581

Биполярный транзистор 2SC2581Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный т..

158.48 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2594

Биполярный транзистор 2SC2594Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимо..

105.25 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2603

Биполярный транзистор 2SC2603Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный то..

4.82 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2610

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

17.24 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2611

Биполярный транзистор 2SC2611Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..

72.05 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2621

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2621Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcи..

32.42 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2625

Биполярный транзистор 2SC2625Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный то..

131.05 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2655

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

18.48 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2668

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2668OТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcи..

10.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2682(Y)

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2682YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 VМакcи..

55.13 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2688

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2688Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcи..

18.06 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2712

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2712Маркировка: LG_LL_LOТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмит..

5.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2752

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

62.03 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2785

Биполярный транзистор 2SC2785Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допусти..

2.61 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2802

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 AПреде..

142.08 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2910

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2910Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакc..

50.30 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2958

ОписаниеИсходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npnPc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe1W 160V 140V - 500mA 125°C 25MHz - ..

67.63 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2983

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2983Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакcим..

163.30 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3000

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3000Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcи..

30.32 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3026

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3026Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 AПредельная температу..

390.70 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3030

Биполярный транзистор 2SC3030Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допусти..

372.13 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3040(L)

Биполярный транзистор 2SC3040Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..

192.94 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3070

Биполярный транзистор 2SC3070Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое..

42.73 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.