Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SA 1318

Биполярный транзистор 2SA1318Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимальный постоян..

29.37 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1357

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1357YТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcим..

72.05 ₽

В корзину

Популярный

2SA 1370

Биполярный транзистор 2SA1370Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустим..

16.85 ₽

В корзину

Популярный

2SA 1371

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1371Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcим..

14.47 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1386

Биполярный транзистор 2SA1386Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакcимально допуст..

509.03 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1413

Биполярный транзистор 2SA1413Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 VМакcимальный постоянный ток коллектора..

104.26 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1469

ТРАНЗИСТОР 2SA1469Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, н..

87.50 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1471

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1471Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..

200.62 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1488

Биполярный транзистор 2SA1488Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напр..

190.90 ₽

В корзину

Популярный

2SA 1524

Биполярный транзистор 2SA1524Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое нап..

14.45 ₽

В корзину

Популярный

2SA 1538

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1538Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 VМакcима..

27.37 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1615(Z)

Транзистор 2SA1615Z — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-251.пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе ба..

65.46 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1625

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1625Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМак..

41.04 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1626

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1626Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcим..

63.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1658

Биполярный транзистор 2SA1658Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напр..

157.86 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1668

ОписаниеНаименование производителя: 2SA1668Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcи..

176.50 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1680

ТРАНЗИСТОР 2SA1680Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -6 VТок коллектор..

102.66 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 1776

Транзистор 2SA1776 — биполярный, кремниевый, низкочастотный (FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса SC-71.Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400Ма..

190.56 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 564

Биполярный транзистор 2SA564Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустим..

6.88 ₽

В корзину

Популярный

2SA 608E

4.12 ₽

В корзину

Популярный

2SA 608K

Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

4.12 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 708

Биполярный транзистор 2SA708Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..

15.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 933

Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 AПреде..

4.32 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 940

Биполярный транзистор 2SA940Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустим..

26.57 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.