0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

0
Биполярный транзистор 2SB716Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально допуст..
45.25 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 VMaximum Collector Current |Ic max|: 1 A..
65.63 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB733Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный по..
47.34 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SB773AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально д..
121.01 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB794Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
68.62 ₽
В корзину
Заканчивается
0
2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура pnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе ..
154.25 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SB857Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допу..
28.90 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
49.41 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB892SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
22.36 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB893Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 VМакcимальны..
26.09 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SB926Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое нап..
6.86 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB941AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..
44.60 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Наименование производителя: 2SB988Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допу..
183.66 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC1061Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимо..
45.27 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SC1096Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcимально доп..
49.21 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..
22.04 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC1213Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcим..
11.67 ₽
В корзину
0
ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC1317Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 ВНапряжение коллектор-база, не более: -30 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -7 VТок коллектора, не более: -0.5 АРассеиваемая мощность коллектора,..
15.81 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC1318Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустим..
6.99 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
15.24 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
16.42 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
333.18 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC1417Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 AПредельная температура PN-перехо..
17.36 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.