Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SC 1419

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

98.01 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1474

ОписаниеНаименование производителя: 2SC1474Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 VМакcи..

24.12 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1507

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

29.61 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1569

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

64.84 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1675

ОписаниеНаименование производителя: 2SC1675Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcи..

7.91 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1684(NC)

Биполярный транзистор 2SC1684Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое на..

14.10 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1685

Биполярный транзистор 2SC1685Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допусти..

12.62 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1730

Биполярный транзистор 2SC1730 Наименование производителя: 2SC1730Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эм..

6.88 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1740

Биполярный транзистор 2SC1740Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный то..

5.87 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1741

Биполярный транзистор 2SC1741Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный то..

5.87 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1841

ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC1841Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 ВНапряжение коллектор-база, не более: 120 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.05 АРассеиваемая мощность коллектора, ..

25.65 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1846(R)

Наименование производителя: 2SC1846Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcимально до..

41.07 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1847

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS CompliantTransistor Type NPNCurrent - Collector (Ic) (Max) 1.5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2ACurrent - Collector Cutoff (Max) 100µADC Current..

32.67 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1906

Биполярный транзистор 2SC1906Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 VМакcимально допустим..

9.35 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1921

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

16.33 ₽

В корзину

Популярный

2SC 1923

Биполярный транзистор 2SC1923Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустим..

17.62 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1944

ОписаниеНаименование производителя: 2SC1944Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcима..

354.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1946A

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

1 523.59 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1983

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

93.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 1984

ОписаниеНаименование производителя: 2SC1984Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcим..

43.44 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2000

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2000Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный..

10.82 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2002

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2002Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcим..

10.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2023

Биполярный транзистор 2SC2023Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допусти..

144.69 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2053

Биполярный транзистор 2SC2053Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 VМакcимально допустим..

67.70 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.